今天来分享一个DCDC电源设计过程以及注意事项，适合新手入门使用
首先是芯片选型，主要考虑以下参数
- 输入电压
- 输出电压
- 输出电流
- 开关频率
- 集成程度
首先是输入电压，根据芯片规定的耐压值，我们可以很轻松选择到输入电压符合我们要求的芯片（这里接举例）
输出电压上，由于DCDC原理限制，内部存在一个参考电压Vref，也就是最低输出电压，往往在0.8到1.2V之间，有些芯片还会提供0.6V或者高达3.3V的参考电压，这个参考电压与VFB电压反馈引脚接入到一个比较器中，两者决定输出决定占空比的变化趋势。对于Buck电路，输出电压范围通常在Vref～Vin之间（往往达不到Vin）
输出电流方面，建议预留20％的安全范围，防止过载。通常来说，输出电流越大，对散热要求越高，封装也就会越复杂，设计越需要谨慎。大电流输出时，在对于环境要求不高的场景下，可以考虑使用控制器+外置Mosfet方案，实现更高功率；而当集成度或EMI有要求时，可以考虑堆叠方案或者多相控制器方案
开关频率是DCDC的重要参数之一，他决定了DCDC的输出纹波，工作效率以及封装尺寸，通常在500K～3Mhz之间，举个最直观的例子，开关频率越高，电感值要求越低，同样电流下电感封装就可以做的更小；但是不要忘记频繁开关带来的Mos管开关损耗，这会导致效率下降。
集成程度这里放一幅图（待制作）
参数计算
通常来说，一个Buck芯片可能包含下面这些引脚
Vin：电压输入，部分芯片可能分为AVIN，PVIN
BST：自举升压电容
SW：高频开关引脚
FB：电压反馈引脚
EN：使能引脚
VCC：内部LDO的引出引脚
PG：PowerGood引脚，通常为开漏输出
GND
接下来分析每个引脚接法
Vin，很明显应该接输入电压，注意不要超过设定电压范围，数据手册中会有标明，在Vin和GND之间跨接输入滤波电容
BST：自举升压电容，一般串接在BST引脚和SW引脚之间一个100nf电容实现上管驱动功能，注意这颗电容耐压值要高于VIN+10V
SW：开关引脚，后接电感，部分非同步芯片需要再接一个续流二极管
电感计算公式：
$$L=\frac{(Vin-Vout)Vout}{FswKIoutVin}$$
FB：电压反馈引脚，通过两个电阻分压，使得输出Vout在预期值时，Vfb＝Vref
反馈电阻满足以下条件
$$Rb=\frac{Rt}{\frac{Vout}{Vref} – 1 }$$
EN：使能引脚，具体看数据手册，部分芯片存在内部上下拉的默认状态
VCC：部分芯片会引出内置LDO的输出引脚，按照手册要求配置滤波电容
PG：需在外部上拉，当电源故障时，PG会被拉低，具体见数据手册
Layout演示
Layout优化与常见问题
- 输入电容越近越好，但是注意不要打过孔放背面，会带来寄生电感
- SW网络面积在保证电流通过的情况下尽可能小，条件允许情况下不要打过孔（引入德州仪器的部分小芯片，与MPS同封装方案对比）
- 电感下面推荐铺铜，但是请保证使用的是一体成型或者屏蔽电感，其他电感不要铺铜
- 回路下方尽可能有完整地平面，且完整地平面尽可能接近顶层，这是为了在完整地平面上产生感应电流，利用楞次定律减小对外电磁干扰
- Vin双引脚横跨芯片，考虑相对方向放置，形成两个方向相反的输入电流回路，产生的磁场相互抵消
- 尽可能使用封装小的电感，这会减小SW引脚面积
- 电流控制型电源芯片，检流电阻出线时使用开尔文接法
常见芯片与引脚
TSOT-23-6
以SY8116为例，这是一颗低压（4V-18V输入），500kHz开关频率，最大3A电流输出的集成MOSFET转换芯片。
不难发现这是一颗双NMOS半桥架构的转换器，所以需要外置电容实现自举，在BS与LX引脚加100nF电容即可。
FB电压0.6，开关频率固定500Khz，电流控制，带使能引脚且无默认开启
带入得到我们需要5.3uH，额定电流4A的电感，反馈电阻比为100:22.22（上:下）
MP8759
这是一颗4.5-26V宽压，8A最大持续输出电流，10A最大瞬时输出的芯片。第一次使用这颗芯片实在RK3588上，为核心板提供4V8A的稳定供电。
芯片框图如下
虽然看上去比上面的芯片复杂了很多，但其实核心部分仍然没有变化。比如这里的功率半桥：
而这里是芯片的附加功能，如软起动，间断导通模式的实现等等。
而这里则是PG（PowerGood）的实现，包括了过欠压关断保护等等功能。防止设备在低电压大电流环境下工作产生烧损等事故。
当然，这颗芯片包含了COMP引脚，用于模拟环路补偿。不过这里不着急计算，通常芯片的DataSheet会给出常用的配置参数。比如这颗芯片就给出了下面的参数
